NTMFS4985NFT1G onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NTMFS4985NFT1G
DigiKey-Teilenr.	NTMFS4985NFT1GOSTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) NTMFS4985NFT1GOSCT-ND - Gurtabschnitt (CT)
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NTMFS4985NFT1G
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 17.5A/65A 5DFN
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 17,5 A (Ta), 65 A (Tc) 1,63W (Ta), 22,73W (Tc) Oberflächenmontage 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	NTMFS4985NFT1G Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	17,5 A (Ta), 65 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	3,4mOhm bei 30A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,3V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	30.5 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2100 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1,63W (Ta), 22,73W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse
Basis-Produktnummer	NTMFS4985

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