Name: NTMFS5C628NLT1G
Brand: onsemi
SKU: NTMFS5C628NLT1GOSTR-ND
Price: 1.19991 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NTMFS5C628NLT1G
DigiKey-Teilenr.	NTMFS5C628NLT1GOSTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) NTMFS5C628NLT1GOSCT-ND - Gurtabschnitt (CT) NTMFS5C628NLT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NTMFS5C628NLT1G
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 5DFN
Standardlieferzeit des Herstellers	17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 28 A (Ta), 150 A (Tc) 3,7W (Ta), 110W (Tc) Oberflächenmontage 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	NTMFS5C628NLT1G Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	28 A (Ta), 150 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	2,4mOhm bei 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2V bei 135µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	52 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3600 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,7W (Ta), 110W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse
Basis-Produktnummer	NTMFS5