Name: NTMS10P02R2G
Brand: onsemi
SKU: NTMS10P02R2GOSTR-ND
Price: 1.79446 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NTMS10P02R2G
DigiKey-Teilenr.	NTMS10P02R2GOSTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) NTMS10P02R2GOSCT-ND - Gurtabschnitt (CT) NTMS10P02R2GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NTMS10P02R2G
Beschreibung	MOSFET P-CH 20V 8.8A 8SOIC
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 20 V 8,8 A (Ta) 1,6W (Ta) Oberflächenmontage 8-SOIC
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	NTMS10P02R2G Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	8,8 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	2,5V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	14mOhm bei 10A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1,2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	70 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3640 pF @ 16 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1,6W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-SOIC
Gehäuse / Hülle	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Basis-Produktnummer	NTMS10