Name: NTMS4177PR2G
Brand: onsemi
SKU: NTMS4177PR2GTR-ND
Price: 0.56212 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NTMS4177PR2G
DigiKey-Teilenr.	NTMS4177PR2GTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) NTMS4177PR2GCT-ND - Gurtabschnitt (CT) NTMS4177PR2GDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NTMS4177PR2G
Beschreibung	MOSFET P-CH 30V 6.6A 8SOIC
Standardlieferzeit des Herstellers	19 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 30 V 6,6 A (Ta) 840mW (Ta) Oberflächenmontage 8-SOIC
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	NTMS4177PR2G Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	6,6 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	12mOhm bei 11,4A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	55 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3100 pF @ 24 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	840mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-SOIC
Gehäuse / Hülle	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Basis-Produktnummer	NTMS41