NTMS4704NR2 onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NTMS4704NR2
DigiKey-Teilenr.	488-NTMS4704NR2-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NTMS4704NR2
Beschreibung	POWER MOSFET 30 V, 12.3 A, SINGL
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 10A 860mW (Ta) Oberflächenmontage 8-SOIC
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Lose im Beutel
Status der Komponente	Bei Digi-Key nicht mehr erhältlich
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	10A
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	9,5mOhm bei 12,3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	17 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1225 pF @ 20 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	860mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-SOIC
Gehäuse / Hülle	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)

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