Name: NTMTS002N10MCTXG
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMTS002N10MCTXGTR-ND
Price: 6.1617 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NTMTS002N10MCTXG
DigiKey-Teilenr.	488-NTMTS002N10MCTXGTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 488-NTMTS002N10MCTXGCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 488-NTMTS002N10MCTXGDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NTMTS002N10MCTXG
Beschreibung	PTNG 100V, SINGLE NCH, PQFN8X8 S
Standardlieferzeit des Herstellers	21 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 45A (Ta), 236A (Tc) 9W (Ta), 255W (Tc) Oberflächenmontage 8-DFNW (8,3x8,4)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	45A (Ta), 236A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	2,3mOhm bei 90A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 520µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	89 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	6305 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	9W (Ta), 255W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-DFNW (8,3x8,4)
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer	NTMTS002