Name: NTMTS0D7N06CTXG
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMTS0D7N06CTXGTR-ND
Price: 4.14023 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NTMTS0D7N06CTXG
DigiKey-Teilenr.	488-NTMTS0D7N06CTXGTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 488-NTMTS0D7N06CTXGCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 488-NTMTS0D7N06CTXGDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NTMTS0D7N06CTXG
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 60.5A/464A 8DFNW
Standardlieferzeit des Herstellers	24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 60,5A (Ta), 464A (Tc) 5W (Ta), 294,6W (Tc) Oberflächenmontage 8-DFNW (8,3x8,4)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	60,5A (Ta), 464A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	0,72mOhm bei 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	152 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	11535 pF @ 30 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	5W (Ta), 294,6W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-DFNW (8,3x8,4)
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer	NTMTS0