
NTTFD1D8N02P1E | |
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DigiKey-Teilenr. | 488-NTTFD1D8N02P1E-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | NTTFD1D8N02P1E |
Beschreibung | MOSFET, POWER, 25V DUAL N-CHANNE |
Standardlieferzeit des Herstellers | 41 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | MOSFETs - Arrays 25V 11A (Ta), 21A (Ta) 800mW (Ta), 900mW (Ta) Oberflächenmontage 8-PQFN (3,3x3,3) |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 4,2mOhm bei 15A, 10V, 1,4mOhm bei 29A, 10V |
Hersteller onsemi | Vgs(th) (max.) bei Id 2V bei 190µA, 2V bei 310µA |
Serie | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 5,5nC bei 4,5V, 17nC bei 4,5V |
Verpackung Lose im Beutel | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 873pF bei 15V, 2700pF bei 15V |
Status der Komponente Aktiv | Leistung - Max. 800mW (Ta), 900mW (Ta) |
Technologie MOSFET (Metalloxid) | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Konfiguration N-Kanal (zweifach), asymmetrisch | Montagetyp Oberflächenmontage |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25V | Gehäuse / Hülle 8-PowerWDFN |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 11A (Ta), 21A (Ta) | Gehäusetyp vom Lieferanten 8-PQFN (3,3x3,3) |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.75000 | Fr. 1.75 |
| 10 | Fr. 1.12200 | Fr. 11.22 |
| 100 | Fr. 0.76250 | Fr. 76.25 |
| 500 | Fr. 0.60872 | Fr. 304.36 |
| 1’000 | Fr. 0.55928 | Fr. 559.28 |
| 3’000 | Fr. 0.49652 | Fr. 1’489.56 |
| 6’000 | Fr. 0.48006 | Fr. 2’880.36 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 1.75000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 1.89175 |


