Name: NVBG030N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 5556-NVBG030N120M3STR-ND
Price: 21.79296 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NVBG030N120M3S
DigiKey-Teilenr.	5556-NVBG030N120M3STR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 5556-NVBG030N120M3SCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 5556-NVBG030N120M3SDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NVBG030N120M3S
Beschreibung	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 77 A (Tc) 348W (Tc) Oberflächenmontage D2PAK-7
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	77 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	39mOhm bei 30A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,4V bei 15mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	107 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+22V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2430 pF @ 800 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	348W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	D2PAK-7
Gehäuse / Hülle	TO-263-8, D2PAK (7 Pins + Lasche), TO-263CA