NVCR4LS1D4N10MCA onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NVCR4LS1D4N10MCA
DigiKey-Teilenr.	488-NVCR4LS1D4N10MCA-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NVCR4LS1D4N10MCA
Beschreibung	POWER MOSFET, N-CHANNEL, 100 V,
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 300 A (Tc) 331W (Tj) Oberflächenmontage Einsatz
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Lose im Beutel
Status der Komponente	Bei Digi-Key nicht mehr erhältlich
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	300 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,5mOhm bei 80A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 799µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	131 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	10100 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	331W (Tj)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	Einsatz
Gehäuse / Hülle	Einsatz

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