NVD6416ANT4G onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

NVD6416ANT4G ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

Verfügbare Ersatzkomponenten:

Vom Hersteller empfohlen

onsemi

Vorrätig: 3’000

Stückpreis : Fr. 0.72000

Parametrisches Äquivalent

onsemi

Vorrätig: 8’072

Stückpreis : Fr. 1.02000

Ähnlich

Diodes Incorporated

Vorrätig: 3’021

Stückpreis : Fr. 0.68000

Ähnlich

STMicroelectronics

Vorrätig: 2’911

Stückpreis : Fr. 1.07000

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NVD6416ANT4G
DigiKey-Teilenr.	NVD6416ANT4G-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NVD6416ANT4G
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 17 A (Tc) 71W (Tc) Oberflächenmontage DPAK
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	NVD6416ANT4G Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	17 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	81mOhm bei 17A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	620 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	71W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	DPAK
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Basis-Produktnummer	NVD641