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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
NVH4L070N120M3S | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 5556-NVH4L070N120M3S-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | NVH4L070N120M3S |
Beschreibung | SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI |
Standardlieferzeit des Herstellers | 20 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 1200 V 34 A (Tc) 160W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4L |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 57 nC @ 18 V |
Herst. | Vgs (Max.) +22V, -10V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1230 pF @ 800 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 160W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ) |
Technologie | Klasse Automobiltechnik |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V | Qualifizierung AEC-Q101 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Montagetyp Durchkontaktierung |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 18V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247-4L |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 87mOhm bei 15A, 18V | Gehäuse / Hülle |
Vgs(th) (max.) bei Id 4,4V bei 7mA |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 13.58000 | Fr. 13.58 |
| 30 | Fr. 8.38000 | Fr. 251.40 |
| 120 | Fr. 7.24158 | Fr. 868.99 |
| 510 | Fr. 6.76443 | Fr. 3’449.86 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 13.58000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 14.67998 |
