Name: NVH4L095N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 5556-NVH4L095N065SC1-ND
Price: 11.0262 CHF
Availability: InStock

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NVH4L095N065SC1
DigiKey-Teilenr.	5556-NVH4L095N065SC1-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NVH4L095N065SC1
Beschreibung	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET, NC
Standardlieferzeit des Herstellers	9 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 31 A (Tc) 129W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4L
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	31 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	15V, 18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	105mOhm bei 12A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,3V bei 4mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	50 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+22V, -8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	956 pF @ 325 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	129W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247-4L
Gehäuse / Hülle	TO-247-4

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30	Fr. 6.16200	Fr. 184.86
120	Fr. 5.27650	Fr. 633.18
510	Fr. 5.05769	Fr. 2’579.42

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