Name: NVMFD5C668NLT1G
Brand: onsemi
SKU: NVMFD5C668NLT1GOSTR-ND
Price: 2.73493 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NVMFD5C668NLT1G
DigiKey-Teilenr.	NVMFD5C668NLT1GOSTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) NVMFD5C668NLT1GOSCT-ND - Gurtabschnitt (CT) NVMFD5C668NLT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NVMFD5C668NLT1G
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 60V 15.5A 8DFN
Standardlieferzeit des Herstellers	19 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 60V 15,5 A (Ta), 68 A (Tc) 3W (Ta), 57,5W (Tc) Oberflächenmontage 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	NVMFD5C668NLT1G Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	onsemi
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	15,5 A (Ta), 68 A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	6,5mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2V bei 50µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	21,3nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1440pF bei 25V
Leistung - Max.	3W (Ta), 57,5W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Basis-Produktnummer	NVMFD5