Name: NVMFS3D0P04M8LT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFS3D0P04M8LT1GTR-ND
Price: 3.1349 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NVMFS3D0P04M8LT1G
DigiKey-Teilenr.	488-NVMFS3D0P04M8LT1GTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 488-NVMFS3D0P04M8LT1GCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 488-NVMFS3D0P04M8LT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NVMFS3D0P04M8LT1G
Beschreibung	MV8 P INITIAL PROGRAM
Standardlieferzeit des Herstellers	19 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 40 V 28A (Ta), 183A (Tc) 3,9W (Ta), 171W (Tc) Oberflächenmontage 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	NVMFS3D0P04M8LT1G Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	28A (Ta), 183A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	2,7mOhm bei 30A,10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,4V bei 2mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	124 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	5827 pF @ 20 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,9W (Ta), 171W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse
Basis-Produktnummer	NVMFS3