Name: NVMFS6H818NWFT1G
Brand: onsemi
SKU: NVMFS6H818NWFT1GOSTR-ND
Price: 2.69169 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NVMFS6H818NWFT1G
DigiKey-Teilenr.	NVMFS6H818NWFT1GOSTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) NVMFS6H818NWFT1GOSCT-ND - Gurtabschnitt (CT) NVMFS6H818NWFT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NVMFS6H818NWFT1G
Beschreibung	MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN
Standardlieferzeit des Herstellers	19 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 20 A (Ta), 123 A (Tc) 3,8W (Ta), 136W (Tc) Oberflächenmontage, benetzbare Flanke 5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	NVMFS6H818NWFT1G Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	20 A (Ta), 123 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	3,7mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 190µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	46 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3100 pF @ 40 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,8W (Ta), 136W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage, benetzbare Flanke
Gehäusetyp vom Lieferanten	5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse
Basis-Produktnummer	NVMFS6