Name: NVMJS2D5N06CLTWG
Brand: onsemi
SKU: NVMJS2D5N06CLTWGOSTR-ND
Price: 2.10795 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NVMJS2D5N06CLTWG
DigiKey-Teilenr.	NVMJS2D5N06CLTWGOSTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) NVMJS2D5N06CLTWGOSCT-ND - Gurtabschnitt (CT) NVMJS2D5N06CLTWGOSDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NVMJS2D5N06CLTWG
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 31A/164A 8LFPAK
Standardlieferzeit des Herstellers	19 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 31A (Ta), 164A (Tc) 3,9W (Ta), 113W (Tc) Oberflächenmontage 8-LFPAK
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	NVMJS2D5N06CLTWG Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	31A (Ta), 164A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	2,4mOhm bei 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2V bei 135µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	52 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3600 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,9W (Ta), 113W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-LFPAK
Gehäuse / Hülle	SOT-1205, 8-LFPAK56
Basis-Produktnummer	NVMJS2