Name: NVMYS2D1N04CLTWG
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMYS2D1N04CLTWGTR-ND
Price: 1.81608 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NVMYS2D1N04CLTWG
DigiKey-Teilenr.	488-NVMYS2D1N04CLTWGTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 488-NVMYS2D1N04CLTWGCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 488-NVMYS2D1N04CLTWGDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NVMYS2D1N04CLTWG
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V 29A/132A LFPAK4
Standardlieferzeit des Herstellers	22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 29A (Ta), 132A (Tc) 3,9W (Ta), 83W (Tc) Oberflächenmontage LFPAK4 (5x6)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	29A (Ta), 132A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	2,5mOhm bei 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2V bei 90µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	50 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3100 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,9W (Ta), 83W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	LFPAK4 (5x6)
Gehäuse / Hülle	SOT-1023, 4-LFPAK
Basis-Produktnummer	NVMYS2