Name: NVMYS8D0N04CTWG
Brand: onsemi
SKU: NVMYS8D0N04CTWGOSTR-ND
Price: 0.41078 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NVMYS8D0N04CTWG
DigiKey-Teilenr.	NVMYS8D0N04CTWGOSTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) NVMYS8D0N04CTWGOSCT-ND - Gurtabschnitt (CT) NVMYS8D0N04CTWGOSDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NVMYS8D0N04CTWG
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V 16A/49A 4LFPAK
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 16A (Ta), 49A (Tc) 3,8W (Ta), 38W (Tc) Oberflächenmontage LFPAK4 (5x6)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	16A (Ta), 49A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	8,1mOhm bei 15A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,5V bei 30µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	10 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	625 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,8W (Ta), 38W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	LFPAK4 (5x6)
Gehäuse / Hülle	SOT-1023, 4-LFPAK
Basis-Produktnummer	NVMYS8