NVTFS5124PLWFTWG onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

NVTFS5124PLWFTWG ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

Verfügbare Ersatzkomponenten:

Parametrisches Äquivalent

onsemi

Vorrätig: 3’281

Stückpreis : Fr. 0.59000

Parametrisches Äquivalent

onsemi

Vorrätig: 6’045

Stückpreis : Fr. 0.59000

Parametrisches Äquivalent

onsemi

Vorrätig: 3’422

Stückpreis : Fr. 0.40000

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NVTFS5124PLWFTWG
DigiKey-Teilenr.	NVTFS5124PLWFTWG-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NVTFS5124PLWFTWG
Beschreibung	MOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFN
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 60 V 2,4 A (Ta) 3W (Ta), 18W (Tc) Oberflächenmontage 8-WDFN (3,3x3,3)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	NVTFS5124PLWFTWG Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	2,4 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	260mOhm bei 3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	6 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	250 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3W (Ta), 18W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-WDFN (3,3x3,3)
Gehäuse / Hülle	8-PowerWDFN
Basis-Produktnummer	NVTFS5124