NVTFS5820NLWFTWG onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

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NVTFS5820NLWFTWG
DigiKey-Teilenr.	NVTFS5820NLWFTWG-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NVTFS5820NLWFTWG
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 11A 8WDFN
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 11 A (Ta) 3,2W (Ta), 21W (Tc) Oberflächenmontage 8-WDFN (3,3x3,3)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	NVTFS5820NLWFTWG Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	11 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	11,5mOhm bei 8,7A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	28 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1462 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,2W (Ta), 21W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-WDFN (3,3x3,3)
Gehäuse / Hülle	8-PowerWDFN
Basis-Produktnummer	NVTFS5820