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Marketplace-Produkt
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
NVXK2VR40WXT2 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 5556-NVXK2VR40WXT2-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | NVXK2VR40WXT2 |
Beschreibung | MOSFET 6N-CH 1200V 55A APM32 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 16 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 55 A (Tc) 319W (Tc) Durchkontaktierung APM32 |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Hersteller | onsemi | |
Serie | - | |
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
Technologie | Siliziumkarbid (SiC) | |
Konfiguration | 6 N-Kanal (3-Phasen-Brücke) | |
FET-Merkmal | - | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | 55 A (Tc) | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 59mOhm bei 35A, 20V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4,3V bei 10mA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 106nC bei 20V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 1789pF bei 800V | |
Leistung - Max. | 319W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 175°C (TJ) | |
Klasse | Automobiltechnik | |
Qualifizierung | AEC-Q101 | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäuse / Hülle | 32-PowerDIP-Modul (1,449", 36,80mm) | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | APM32 |
Auf Lager: 46
Bestand des Herstellers: 60
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Menge
Alle Preise in CHF
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 66.70000 | Fr. 66.70 |
| 10 | Fr. 53.17100 | Fr. 531.71 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 66.70000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 72.10270 |
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