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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
NXH006P120M3F2PTHG | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 5556-NXH006P120M3F2PTHG-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | NXH006P120M3F2PTHG |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 1200V 191A 36PIM |
Standardlieferzeit des Herstellers | 23 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 191A (Tc) 556W (Tc) Chassisbefestigung 36-PIM (56,7x62,8) |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
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Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4,4V bei 80mA |
Hersteller onsemi | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 622nC bei 20V |
Verpackung Tablett | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 11914pF bei 800V |
Status der Komponente Aktiv | Leistung - Max. 556W (Tc) |
Technologie Siliziumkarbid (SiC) | Betriebstemperatur -40°C bis 175°C (TJ) |
Konfiguration 2 N-Kanal (Halbbrücke) | Montagetyp Chassisbefestigung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200V (1,2kV) | Gehäuse / Hülle Modul |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 191A (Tc) | Gehäusetyp vom Lieferanten 36-PIM (56,7x62,8) |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 8mOhm bei 100A, 18V | Basis-Produktnummer |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 120.14000 | Fr. 120.14 |
| 20 | Fr. 101.62850 | Fr. 2’032.57 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 120.14000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 129.87134 |
