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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
NXH008P120M3F1PG | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 5556-NXH008P120M3F1PG-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | NXH008P120M3F1PG |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 1200V 145A |
Standardlieferzeit des Herstellers | 22 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 145 A (Tc) 382W (Tj) Chassisbefestigung |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4,4V bei 60mA |
Hersteller onsemi | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 419nC bei 18V |
Verpackung Tablett | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 8334pF bei 800V |
Status der Komponente Aktiv | Leistung - Max. 382W (Tj) |
Technologie Siliziumkarbid (SiC) | Betriebstemperatur -40°C bis 175°C (TJ) |
Konfiguration 2 N-Kanal (Halbbrücke) | Montagetyp Chassisbefestigung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200V (1,2kV) | Gehäuse / Hülle Modul |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 145 A (Tc) | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 10,9mOhm bei 120A, 18V |
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Menge
Alle Preise in CHF
Tablett
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 82.84000 | Fr. 82.84 |
| 28 | Fr. 65.38500 | Fr. 1’830.78 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 82.84000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 89.55004 |
