NXH010P90MNF1PTG
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
NXH010P90MNF1PTG
NXH010P90MNF1PTG

NXH010P90MNF1PTG

DigiKey-Teilenr.
5556-NXH010P90MNF1PTG-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
NXH010P90MNF1PTG
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 900V 154A
Standardlieferzeit des Herstellers
16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 900V 154 A (Tc) 328W (Tj) Chassisbefestigung
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
onsemi
Serie
-
Verpackung
Tablett
Status der Komponente
Aktiv
Technologie
Siliziumkarbid (SiC)
Konfiguration
2 N-Kanal (zweifach), gemeinsamer Source-Pin
FET-Merkmal
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
900V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
154 A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
14mOhm bei 100A, 15V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,3V bei 40mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
546,4nC bei 15V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
7007pF bei 450V
Leistung - Max.
328W (Tj)
Betriebstemperatur
-40°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp
Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle
Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten
-
Basis-Produktnummer
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