Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NXH020P120MNF1PG

DigiKey-Teilenr.
5556-NXH020P120MNF1PG-ND
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
NXH020P120MNF1PG
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 1200V 51A
Standardlieferzeit des Herstellers
17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 51 A (Tc) 119W (Tj) Chassisbefestigung
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
onsemi
Serie
-
Verpackung
Tablett
Status der Komponente
Aktiv
Technologie
Siliziumkarbid (SiC)
Konfiguration
2 N-Kanal (Halbbrücke)
FET-Merkmal
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V (1,2kV)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
51 A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
30mOhm bei 50A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,3V bei 20mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
213,5nC bei 20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2420pF bei 800V
Leistung - Max.
119W (Tj)
Betriebstemperatur
-40°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp
Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle
Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten
-
Basis-Produktnummer
NXH020
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