NXH020F120MNF1PG
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
NXH020F120MNF1PG

NXH040F120MNF1PG

DigiKey-Teilenr.
5556-NXH040F120MNF1PG-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
NXH040F120MNF1PG
Beschreibung
MOSFET 4N-CH 1200V 30A 22PIM
Standardlieferzeit des Herstellers
17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 30 A (Tc) 74W (Tj) Chassisbefestigung 22-PIM (33,8x42,5)
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
onsemi
Serie
-
Verpackung
Tablett
Status der Komponente
Aktiv
Technologie
Siliziumkarbid (SiC)
Konfiguration
4 N-Kanal
FET-Merkmal
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V (1,2kV)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
30 A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
56mOhm bei 25A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,3V bei 10mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
122,1nC bei 20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1505pF bei 800V
Leistung - Max.
74W (Tj)
Betriebstemperatur
-40°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp
Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle
Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten
22-PIM (33,8x42,5)
Basis-Produktnummer
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