NXH040P120MNF1PTG
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
NXH040P120MNF1PTG
NXH040P120MNF1PTG

NXH040P120MNF1PTG

DigiKey-Teilenr.
5556-NXH040P120MNF1PTG-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
NXH040P120MNF1PTG
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 1200V 30A
Standardlieferzeit des Herstellers
17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 30 A (Tc) 74W Chassisbefestigung
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
onsemi
Serie
-
Verpackung
Tablett
Status der Komponente
Aktiv
Technologie
Siliziumkarbid (SiC)
Konfiguration
2 N-Kanal (zweifach), gemeinsamer Source-Pin
FET-Merkmal
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V (1,2kV)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
30 A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
56mOhm bei 25A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,3V bei 10mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
122,1nC bei 20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1505pF bei 800V
Leistung - Max.
74W
Betriebstemperatur
-40°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp
Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle
Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten
-
Basis-Produktnummer
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