21 PowerDIP
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
21 PowerDIP
21 PowerDIP

NXV10V160ST1

DigiKey-Teilenr.
488-NXV10V160ST1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
NXV10V160ST1
Beschreibung
MOSFET 6N-CH 100V APM21-CGA
Standardlieferzeit des Herstellers
14 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 100V Durchkontaktierung APM21-CGA
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
onsemi
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration
6 N-Kanäle
FET-Merkmal
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
-
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
-
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
101nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
6970pF bei 50V
Leistung - Max.
-
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
21-PowerDIP-Modul (1,370", 34,80mm)
Gehäusetyp vom Lieferanten
APM21-CGA
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