SGH80N60UFDTU onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

SGH80N60UFDTU ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

Verfügbare Ersatzkomponenten:

Direkter Ersatz

onsemi

Vorrätig: 1’744

Stückpreis : Fr. 4.52000

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SGH80N60UFDTU
DigiKey-Teilenr.	SGH80N60UFDTU-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	SGH80N60UFDTU
Beschreibung	IGBT 600V 80A 195W TO3P
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT 600 V 80 A 195 W Durchkontaktierung TO-3P
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SGH80N60UFDTU Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs Einzelne IGBTs
Hersteller	onsemi
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
IGBT-Typ	-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	600 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	80 A
Strom - Kollektor, gepulst (Icm)	220 A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	2,6V bei 15V, 40A
Leistung - Max.	195 W
Schaltenergie	570µJ (Ein), 590µJ (Aus)
Eingangstyp	Standard
Gate-Ladung	175 nC
Td (on/off) bei 25°C	23ns/90ns
Testbedingung	300V, 40A, 5Ohm, 15V
Umkehrerholungszeit (trr)	95 ns
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-3P-3, SC-65-3
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-3P
Basis-Produktnummer	SGH80