SGS5N150UFTU onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SGS5N150UFTU
DigiKey-Teilenr.	SGS5N150UFTU-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	SGS5N150UFTU
Beschreibung	IGBT 1500V 10A TO-220F-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT 1500 V 10 A 50 W Durchkontaktierung TO-220F-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SGS5N150UFTU Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs Einzelne IGBTs
Hersteller	onsemi
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
IGBT-Typ	-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	1500 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	10 A
Strom - Kollektor, gepulst (Icm)	20 A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	5,5V bei 10V, 5A
Leistung - Max.	50 W
Schaltenergie	190µJ (Ein), 100µJ (Aus)
Eingangstyp	Standard
Gate-Ladung	30 nC
Td (on/off) bei 25°C	10ns/30ns
Testbedingung	600V, 5A, 10Ohm, 10V
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-220-3 voller Pack
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220F-3
Basis-Produktnummer	SGS5N