TIS75 onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TIS75
DigiKey-Teilenr.	TIS75-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	TIS75
Beschreibung	JFET N-CH 30V TO92-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	JFET N-Kanal 30 V 350 mW Durchkontaktierung TO-92-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TIS75 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
Hersteller	onsemi
Serie	-
Verpackung	Lose im Beutel
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS)	30 V
Strom - Drain (Idss) bei Vds (Vgs=0)	8 mA @ 15 V
Spannung - Abschaltung (VGS aus) bei Id	800 mV @ 4 nA
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	18pF bei 10V (VGS)
Widerstand - RDS(On)	60 Ohms
Leistung - Max.	350 mW
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-226-3, TO-92-3 Standard-Gehäuse (TO-226AA)
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-92-3
Basis-Produktnummer	TIS75