Name: UF3C120080K3S
Brand: onsemi
SKU: 5556-UF3C120080K3S-ND
Price: 14.53945 CHF
Availability: InStock

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UF3C120080K3S
DigiKey-Teilenr.	5556-UF3C120080K3S-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	UF3C120080K3S
Beschreibung	SICFET N-CH 1200V 33A TO247-3
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 33 A (Tc) 254,2W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Cascode SiCJFET)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	33 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	12V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	100mOhm bei 20A, 12V
Vgs(th) (max.) bei Id	6V bei 10mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	51 nC @ 15 V
Vgs (Max.)	±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1500 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	254,2W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247-3
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Basis-Produktnummer	UF3C120080

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