UNR211100L ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
Verfügbare Ersatzkomponenten:

Direkter Ersatz


onsemi
Vorrätig: 324’846
Stückpreis : Fr. 0.10000
Datenblatt

Direkter Ersatz


onsemi
Vorrätig: 21’348
Stückpreis : Fr. 0.10000
Datenblatt

Direkter Ersatz


onsemi
Vorrätig: 3’701
Stückpreis : Fr. 0.15000
Datenblatt

Direkter Ersatz


onsemi
Vorrätig: 3’753
Stückpreis : Fr. 0.14000
Datenblatt

Direkter Ersatz


onsemi
Vorrätig: 9’700
Stückpreis : Fr. 0.14000
Datenblatt

Direkter Ersatz


onsemi
Vorrätig: 1’984
Stückpreis : Fr. 0.16000
Datenblatt

Direkter Ersatz


onsemi
Vorrätig: 10’000
Stückpreis : Fr. 0.16000
Datenblatt

Upgrade


Nexperia USA Inc.
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 0.14000
Datenblatt

Upgrade


Nexperia USA Inc.
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 0.15000
Datenblatt

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Diodes Incorporated
Vorrätig: 45’134
Stückpreis : Fr. 0.16000
Datenblatt

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Diodes Incorporated
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 0.02683
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Diodes Incorporated
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 0.03250
Datenblatt

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Diodes Incorporated
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 0.03206
Datenblatt

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Diodes Incorporated
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 0.16000
Datenblatt
Mini3-G1
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

UNR211100L

DigiKey-Teilenr.
UNR211100LTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
UNR211100L
Beschreibung
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A MINI3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln mit Vorspannung PNP mit Vorspannung 50 V 100 mA 80 MHz 200 mW Oberflächenmontage Mini3-G1
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
Panasonic Electronic Components
Serie
-
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente
Obsolet
Transistor-Typ
PNP mit Vorspannung
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
50 V
Widerstände enthalten
R1 und R2
Widerstand - Basis (R1)
10 kOhms
Widerstand - Emitter-Basis (R2)
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
35 bei 5mA, 10V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
250mV bei 300µA, 10mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
80 MHz
Leistung - Max.
200 mW
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
Mini3-G1
Basis-Produktnummer
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Obsolet
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