PJD1NA50_L2_00001 Panjit International Inc. | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

PJD1NA50_L2_00001
DigiKey-Teilenr.	3757-PJD1NA50_L2_00001TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 3757-PJD1NA50_L2_00001CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 3757-PJD1NA50_L2_00001DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Panjit International Inc.
Hersteller-Teilenummer	PJD1NA50_L2_00001
Beschreibung	500V N-CHANNEL MOSFET
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 500 V 1 A (Ta) 25W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Panjit International Inc.
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	500 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	1 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	9Ohm bei 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	4.2 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	95 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	25W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-252AA
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Basis-Produktnummer	PJD1NA50