TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

PJMF990N65EC_T0_00001

DigiKey-Teilenr.
3757-PJMF990N65EC_T0_00001-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
PJMF990N65EC_T0_00001
Beschreibung
650V SUPER JUNCTION MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers
18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 4,7 A (Tc) 22,5W (Tc) Durchkontaktierung ITO-220AB-F
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
990mOhm bei 2A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
9.7 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
306 pF @ 400 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
22,5W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
ITO-220AB-F
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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