Name: 2SK1317-E
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 2SK1317-E-ND
Price: 17.93379 CHF
Availability: InStock

N-Kanal 1500 V 2,5 A (Ta) 100W (Tc) Durchkontaktierung TO-3P

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

2SK1317-E
DigiKey-Teilenr.	2SK1317-E-ND
Hersteller	Renesas Electronics Corporation
Hersteller-Teilenummer	2SK1317-E
Beschreibung	MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3P
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1500 V 2,5 A (Ta) 100W (Tc) Durchkontaktierung TO-3P
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	2SK1317-E Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Nur verfügbar bis
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1500 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	2,5 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	15V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	12Ohm bei 2A, 15V
Vgs(th) (max.) bei Id	-
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	990 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	100W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-3P
Gehäuse / Hülle	TO-3P-3, SC-65-3
Basis-Produktnummer	2SK1317

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