Name: N0602N-S19-AY
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: N0602N-S19-AY-ND
Price: 2.43225 CHF
Availability: InStock

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N0602N-S19-AY
DigiKey-Teilenr.	N0602N-S19-AY-ND
Hersteller	Renesas Electronics Corporation
Hersteller-Teilenummer	N0602N-S19-AY
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 100 A (Tc) 1,5W (Ta), 156W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	N0602N-S19-AY Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	100 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	4,6mOhm bei 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	-
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	133 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	7730 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1,5W (Ta), 156W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220-3
Gehäuse / Hülle	TO-220-3 Isolierte Fahne
Basis-Produktnummer	N0602N-S19

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	Fr. 2.25000	Fr. 2.25
10	Fr. 1.46600	Fr. 14.66
100	Fr. 1.01880	Fr. 101.88
500	Fr. 0.83800	Fr. 419.00

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