NP160N04TDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NP160N04TDG-E1-AY
DigiKey-Teilenr.	NP160N04TDG-E1-AY-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	Renesas Electronics Corporation
Hersteller-Teilenummer	NP160N04TDG-E1-AY
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 160 A (Ta) 1,8W (Ta), 220W (Tc) Oberflächenmontage TO-263-7
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	NP160N04TDG-E1-AY Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	160 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	2mOhm bei 80A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	270 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	15750 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1,8W (Ta), 220W (Tc)
Betriebstemperatur	175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-263-7
Gehäuse / Hülle	TO-263-7, D2PAK (6 Pins + Lasche)