Name: NP89N04PUK-E1-AY
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-NP89N04PUK-E1-AYTR-ND
Price: 2.65926 CHF
Availability: InStock

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NP89N04PUK-E1-AY
DigiKey-Teilenr.	559-NP89N04PUK-E1-AYTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 559-NP89N04PUK-E1-AYCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 559-NP89N04PUK-E1-AYDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Renesas Electronics Corporation
Hersteller-Teilenummer	NP89N04PUK-E1-AY
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V 90A TO263
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 90 A (Tc) 1,8W (Ta), 147W (Tc) Oberflächenmontage TO-263
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	NP89N04PUK-E1-AY Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	90 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	2,95mOhm bei 45A, 5V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	102 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	5850 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1,8W (Ta), 147W (Tc)
Betriebstemperatur	175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-263
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer	NP89N04