RJK0629DPE-00#J3 Renesas Electronics Corporation | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RJK0629DPE-00#J3
DigiKey-Teilenr.	RJK0629DPE-00#J3-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	Renesas Electronics Corporation
Hersteller-Teilenummer	RJK0629DPE-00#J3
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 85A 4LDPAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 85 A (Ta) 100W (Tc) Oberflächenmontage LDPAK
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	RJK0629DPE-00#J3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	85 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	4,5mOhm bei 43A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	-
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	85 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4100 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	100W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	LDPAK
Gehäuse / Hülle	SC-83
Basis-Produktnummer	RJK0629

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