Name: RJK03M5DNS-00#J5
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: RJK03M5DNS-00#J5TR-ND
Price: 1.53502 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RJK03M5DNS-00#J5
DigiKey-Teilenr.	RJK03M5DNS-00#J5TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) RJK03M5DNS-00#J5CT-ND - Gurtabschnitt (CT)
Hersteller	Renesas Electronics Corporation
Hersteller-Teilenummer	RJK03M5DNS-00#J5
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 25A 8HWSON
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 25 A (Ta) 15W (Tc) Oberflächenmontage 8-HWSON (3,3x3,3)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	RJK03M5DNS-00#J5 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	25 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	6,3mOhm bei 12,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	-
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	10.4 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1890 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	15W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-HWSON (3,3x3,3)
Gehäuse / Hülle	8-PowerWDFN
Basis-Produktnummer	RJK03M5