Name: RJK1001DPP-A0#T2
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-RJK1001DPP-A0#T2-ND
Price: 6.07522 CHF
Availability: OutOfStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RJK1001DPP-A0#T2
DigiKey-Teilenr.	559-RJK1001DPP-A0#T2-ND
Hersteller	Renesas Electronics Corporation
Hersteller-Teilenummer	RJK1001DPP-A0#T2
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 80A TO220FPA
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 80 A (Ta) 30W (Ta) Durchkontaktierung TO-220ABA
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	80 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	5,5mOhm bei 40A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	147 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	10000 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	30W (Ta)
Betriebstemperatur	150°C
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220ABA
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	RJK1001

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10	Fr. 4.75900	Fr. 47.59
100	Fr. 3.52800	Fr. 352.80
500	Fr. 2.42400	Fr. 1’212.00

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