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RJK6012DPP-E0#T2
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RJK60S7DPP-E0#T2

DigiKey-Teilenr.
RJK60S7DPP-E0#T2-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
RJK60S7DPP-E0#T2
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 30A TO220FP
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 30 A (Tc) 34,7W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FP
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
RJK60S7DPP-E0#T2 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
125mOhm bei 15A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
-
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
+30V, -20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2300 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
34,7W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220FP
Gehäuse / Hülle
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Obsolet
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