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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
TPD3215M | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | TPD3215M-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | TPD3215M |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 600V 70A MODULE |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | MOSFETs - Arrays 600V 70 A (Tc) 470W Durchkontaktierung Modul |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Hersteller | Renesas Electronics Corporation | |
Serie | - | |
Verpackung | Lose im Beutel | |
Status der Komponente | Obsolet | |
Technologie | GaNFET (Galliumnitrid) | |
Konfiguration | 2 N-Kanal (Halbbrücke) | |
FET-Merkmal | - | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | 70 A (Tc) | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 34mOhm bei 30A, 8V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | - | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 28nC bei 8V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 2260pF bei 100V | |
Leistung - Max. | 470W | |
Betriebstemperatur | -40°C bis 150°C (TJ) | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäuse / Hülle | Modul | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | Modul | |
Basis-Produktnummer |
Obsolet
Schweiz