TPH3202PD Renesas Electronics Corporation | Einzelne FETs, MOSFETs

TPH3202PD ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

Verfügbare Ersatzkomponenten:

Ähnlich

STMicroelectronics

Vorrätig: 306

Stückpreis : Fr. 2.29000

Ähnlich

Toshiba Semiconductor and Storage

Vorrätig: 34

Stückpreis : Fr. 3.97000

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TPH3202PD
DigiKey-Teilenr.	TPH3202PD-ND
Hersteller	Renesas Electronics Corporation
Hersteller-Teilenummer	TPH3202PD
Beschreibung	GANFET N-CH 600V 9A TO220AB
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 9 A (Tc) 65W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 250µA
Herst. Renesas Electronics Corporation	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 9.3 nC @ 4.5 V
Verpackung Stange	Vgs (Max.) ±18V
Status der Komponente Obsolet	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 760 pF @ 480 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 65W (Tc)
Technologie GaNFET (Galliumnitrid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 9 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle TO-220-3
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 350mOhm bei 5,5A, 8V