PQFN_8x8
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
PQFN_8x8
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TPH3208LDG

DigiKey-Teilenr.
TPH3208LDG-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
TPH3208LDG
Beschreibung
GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 20 A (Tc) 96W (Tc) Oberflächenmontage 3-PQFN (8x8)
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
130mOhm bei 13A, 8V
Vgs(th) (max.) bei Id
2,6V bei 300µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
14 nC @ 8 V
Vgs (Max.)
±18V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
760 pF @ 400 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
96W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
3-PQFN (8x8)
Gehäuse / Hülle
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