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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
TPH3208PD | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | TPH3208PD-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | TPH3208PD |
Beschreibung | GANFET N-CH 650V 20A TO220AB |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 20 A (Tc) 96W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | - | |
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Obsolet | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 130mOhm bei 13A, 8V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 2,6V bei 300µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 14 nC @ 8 V | |
Vgs (Max.) | ±18V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 760 pF @ 400 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 96W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-220AB | |
Gehäuse / Hülle |
Obsolet
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Schweiz