TPH3208PD Renesas Electronics Corporation | Einzelne FETs, MOSFETs

TPH3208PD ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

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STMicroelectronics

Vorrätig: 1’496

Stückpreis : Fr. 4.06000

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TPH3208PD
DigiKey-Teilenr.	TPH3208PD-ND
Hersteller	Renesas Electronics Corporation
Hersteller-Teilenummer	TPH3208PD
Beschreibung	GANFET N-CH 650V 20A TO220AB
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 20 A (Tc) 96W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,6V bei 300µA
Herst. Renesas Electronics Corporation	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 14 nC @ 8 V
Verpackung Stange	Vgs (Max.) ±18V
Status der Komponente Obsolet	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 760 pF @ 400 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 96W (Tc)
Technologie GaNFET (Galliumnitrid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 20 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle TO-220-3
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 130mOhm bei 13A, 8V