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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
BSM080D12P2C008 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | BSM080D12P2C008-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | BSM080D12P2C008 |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULE |
Standardlieferzeit des Herstellers | 22 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 80 A (Tc) 600W Chassisbefestigung Modul |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | BSM080D12P2C008 Modelle |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Hersteller | Rohm Semiconductor | |
Serie | - | |
Verpackung | Tablett | |
Status der Komponente | Aktiv | |
Technologie | Siliziumkarbid (SiC) | |
Konfiguration | 2 N-Kanal (zweifach) | |
FET-Merkmal | - | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | 80 A (Tc) | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | - | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4V bei 13,2mA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | - | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 800pF bei 10V | |
Leistung - Max. | 600W | |
Betriebstemperatur | 175°C (TJ) | |
Montagetyp | Chassisbefestigung | |
Gehäuse / Hülle | Modul | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | Modul | |
Basis-Produktnummer |
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Menge
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Tablett
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 254.99000 | Fr. 254.99 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 254.99000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 275.64419 |
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