SIC Power Module
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
SIC Power Module

BSM180D12P3C007

DigiKey-Teilenr.
BSM180D12P3C007-ND
Hersteller
Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer
BSM180D12P3C007
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
Standardlieferzeit des Herstellers
22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 180 A (Tc) 880W Oberflächenmontage Modul
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
BSM180D12P3C007 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Hersteller
Rohm Semiconductor
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
Technologie
Siliziumkarbid (SiC)
Konfiguration
2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V (1,2kV)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
180 A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
-
Vgs(th) (max.) bei Id
5,6V bei 50mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
-
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
900pF bei 10V
Leistung - Max.
880W
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle
Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten
Modul
Basis-Produktnummer
BSM180
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Auf Lager: 13
Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen
Menge
Alle Preise in CHF
Lose im Beutel
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1Fr. 450.61000Fr. 450.61
Stückpreis ohne MwSt.:Fr. 450.61000
Stückpreis mit MwSt.:Fr. 487.10941